PN7136SAC-R1是一次具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。北浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断，实现过流保护功能。使能端可以同时关断六个输出通道。FAULT端信号用于提示过流或者欠压情况的发生，过流信号的自动清除时间可以通过外部可编程的RC延时网络提供。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。

PN7136SAC-R1特征:
高压范围达+600 V
3.3 V逻辑兼容
抗dV/dt能力士50V/ns
cc自举工作的浮地通道
栅驱动电压范围10V~ 20V
高低侧欠压保护(UVLO) 功能
防直通逻辑
过流关断所有通道
外部可编程的自动游除错误
信号时间独立的三相驱动
抗-5V瞬态负Vs能力
高低侧通道均延时匹配

PN7136SAC-R1应用:
电机驱动空调/洗衣机
通用逆变器
微小迷你逆变器驱动